RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1419–1422 (Mi phts821)

Исследование люминесценции германия, облученного ионами

В. А. Быковский, Н. И. Долгих


Аннотация: Исследовалась низкотемпературная (${T=4.2}$ K) фотолюминесценция (ФЛ) германия, облученного ионами Н$^{+}$, H$^{+}_{2}$, D$^{+}$, Не$^{++}$, Ne$^{+}$, Ar$^{+}$, N$^{+}$, Si$^{+}$, Ge$^{+}$ с энергией ${0.1\div25}$ МэВ. Облучение изотопами водорода приводит к возникновению в спектрах ФЛ после отжига полос и линий, которые сопоставляются с центрами излучательной рекомбинации водород–радиационные дефекты различной сложности. Полученные результаты коррелируют с данными по нейтронному облучению германия. Облучение тяжелыми ионами приводит к изменениям в спектрах ФЛ, предполагающим образование аморфных слоев и развитие дислокационных петель при отжиге.



© МИАН, 2024