RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1423–1428 (Mi phts822)

Характер развития доменной электрической неустойчивости в полупроводнике с нулевыми граничными условиями

Г. Ф. Караваев, Л. Х. Черняховский


Аннотация: В рамках локальной полевой модели развита нелинейная теория возмущений малой амплитуды, возникающих в полупроводнике с $N$-образной зависимостью дрейфовой скорости электронов от электрического поля. Исследован случай нулевых граничных условий для возмущения поля. Получено нелинейное уравнение для амплитуды возмущения. Показано, что существует своеобразный критерий на произведение концентрации электронов на длину образца, позволяющий установить характер нелинейного развития (взрывной, мягкий) неустойчивого возмущения.



© МИАН, 2024