О динамической СВЧ ОДП при междолинном переносе в материалах типа Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As

Проведены расчеты высокочастотной отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП) горячих электронов при междолинном переносе в полупроводниках типа $n$-Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As. Аналитические расчеты сделаны в условиях баллистического разогрева электронов в нижней ($\Gamma$) долине при учете разогрева и проводимости верхних ($X$) долин в приближении стримингового характера распределения электронов в $X$-долинах. Показано, что в определенных условиях возникают области динамической ОДП в субмиллиметровом диапазоне излучения. Приведены также результаты численного моделирования методом Монте-Карло ВЧ ОДП в условиях, близких к рассмотренным в аналитической модели.