Физика и техника полупроводников,
1987, том 21, выпуск 10,страницы 1847–1853(Mi phts916)
Роль обменного взаимодействия в пьезоспектроскопических эффектах,
связанных с центром Mn в GaAs
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков
Аннотация:
Рассмотрено влияние одноосной деформации на состояния
дырки, локализованной на центре Mn$_{\text{Ga}}$ в GaAs. Учтено обменное
взаимодействие дырки с электронами $3d$-оболочки Мn. Расчеты проведены
в предположении, что спин-орбитальное расщепление значительно превышает
деформационное расщепление и энергию обменного взаимодействия. Вычислены
изменения энергии основного уровня дырки и ближайших к нему термов. Определена
поляризация излучения при рекомбинации дырки на этих уровнях с электронами
из зоны проводимости. Сопоставление результатов расчетов с экспериментально
наблюдавшимися поляризацией и смещением полосы фотолюминесценции Мn в GaAs
при давлениях до 10 кбар вдоль осей [100] и [111] демонстрирует
важность учета обменного взаимодействия в пьезоспектроскопических явлениях.
Определено, что константа $A$ в гамильтониане обменного взаимодействия —
$A$ (${\text{S}_{d}\cdotJ}$), где $\text{S}_{d}$ — полный спин
$3d$-электронов, J — полный момент дырки,
равна — ${(4\pm1)}$ мэВ, а константы деформационного потенциала
для центра Mn$_{\text{Ga}}$ близки к константам для валентной зоны GaAs.