Определение параметров области изгиба зон в переходах $n$-GaAs/металл по туннельным вольтамперным характеристикам

Для туннельных контактов металл–полупроводник с барьером Шоттки, изготавливаемых на сильно легированных подложках, не удается воспользоваться стандартными методами определения параметров области изгиба зон по вольтфарадным ($C{-}V$) характеристикам или спектрам барьерной фотоэдс. Ранее было показано (Котельников И.Н. и др. — ФТТ, 1985, т. 27, в. 2, с. 401$-$415), что учет самосогласованного характера барьера Шоттки в выражении для туннельного тока позволяет достичь количественного согласия с экспериментальными вольтамперными характеристиками для туннельных переходов $n$-GaAs/Au в широкой области напряжений смещения $V$ и температур $T$. На основании этих результатов предлагается методика определения концентрации $N$ примеси и высоты барьера Шоттки $\Phi_{s}$ по зависимости туннельного дифференциального сопротивления $R$ от $V$, позволяющая за счет использования номограмм избежать многократного расчета кривых $R (V)$ на ЭВМ. Приведены соответствующие номограммы, рассчитанные при ${T=77}$ и 300 K для случая $n$-GaAs/металл, и результаты экспериментальной проверки метода на переходах $n$-GaAs/Au с ${N=(2\div7)\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$. Обсуждаются особенности спектров фотоэдс и $C{-}V$-характеристик исследовавшихся переходов.