Моделирование процесса деградации контакта полупроводник–тонкая металлическая пленка при термообработке

Показано, что процесс деградации контакта полупроводник–тонкая металлическая пленка при термообработке в диапазоне ${750\div773}$ K может быть описан физической моделью, учитывающей процессы твердотельной диффузии под действием градиента концентрации и внутренних напряжений. Характер взаимодействия в тонкопленочном контакте полупроводник–металл при термообработке наряду с параметрами, характеризующими контактирующие материалы, определяется геометрическими размерами примыкающей к области контактного окна металлической пленки.