RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 10, страницы 1883–1887 (Mi phts922)

Вклад рекомбинационных характеристик кремния в разрешающую способность детекторов короткопробежных частиц

Е. М. Вербицкая, В. К. Еремин, А. М. Маляренко, Н. Б. Строкан, В. Л. Суханов


Аннотация: Треки короткопробежных частиц представляют собой плотные сгустки электронно-дырочных пар диаметром ${2\div4}$ мкм и длиной ${25\div30}$ мкм. Таким образом, при регистрации каждой частицы выявляются условия транспорта носителей в микроскопическом объеме Si. В результате хаотического падения частиц на детектор проявляется статистика по площади образца основного параметра — времени жизни носителей ($\tau$).
В допущении о гауссовом распределении $\tau$ найдено аналитическое описание для формы спектральной линии детектора. Функция приложена к анализу спектров детекторов с рекордным разрешением по энергии, для которых сопоставимы вклады в форму линии фундаментальных факторов и неидеальности Si либо структуры детектора в целом.
Найдены избыточные относительно принятых значений флуктуации преобразования энергии $\alpha$-частицы в заряд электронно-дырочных пар. Представляется, что константы, описывающие рассеяние $\alpha$-частиц на атомах «рабочей среды» — кремния, нуждаются в уточнении.



© МИАН, 2024