RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1984, том 10, выпуск 21, страницы 1281–1286 (Mi pjtf1422)

Образование слоистой структуры в ионно-имплантированном GaAs под действием одиночного субнаносекундного лазерного импульса

Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, Ю. Н. Ковальчук, Ю. В. Погорельский, И. И. Решина, О. В. Смольский




Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024