RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
1984
, том 10,
выпуск 21,
страницы
1281–1286
(Mi pjtf1422)
Образование слоистой структуры в ионно-имплантированном GaAs под действием одиночного субнаносекундного лазерного импульса
Е. Н. Арутюнов
,
А. Н. Васильев
, Ю. Н. Ковальчук
,
Ю. В. Погорельский
,
И. И. Решина
,
О. В. Смольский
Полный текст:
PDF файл (488 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024