RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1986, том 12, выпуск 12, страницы 719–723 (Mi pjtf167)

Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией

В. М. Андреев, А. Б. Гучмазов, Т. В. Декальчук, Ю. М. Задиранов, В. С. Калиновский, А. М. Койнова

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Поступила в редакцию: 10.04.1986



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024