Влияние параметров кристаллической подложки на максимальную мощность кремниевых гетеропереходных солнечных элементов

Исследовано влияние концентрации донорной примеси и времени жизни носителей заряда в кристаллической кремниевой подложке на максимальную мощность гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементов. Использованная в расчетах модель учитывает особенности генерации фототока в условиях среднего или высокого уровней инжекции носителей заряда при произвольном соотношении между диффузионной длиной и толщиной полупроводниковой пластины. Предложенная методика позволяет с достаточной для практических целей точностью вычислять допустимые пределы вариаций параметров подложки, обеспечивающие заданные значения рабочих характеристик фотоэлектрических преобразователей.