Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии

Показана возможность создания гетероструктур квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 $\mu$m методом молекулярно-пучковой эпитаксии с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Активная область лазера была сформирована на основе гетеропары твердых растворов In$_{0.67}$Ga$_{0.33}$As/In$_{0.36}$Al$_{0.64}$As. Слои фосфида индия выполняли функцию обкладок волновода. Результаты исследования карт поверхностных дефектов гетероструктур квантово-каскадных лазеров, рентгеноструктурного анализа позволяют сделать вывод о высоком структурном качестве гетероструктур и низкой оценочной величине среднеквадратичной поверхностной шероховатости, не превышающей 0.7 nm. Лазеры с четырьмя сколотыми гранями демонстрируют генерацию при комнатной температуре с относительно низкой плотностью порогового тока порядка 1 kA/cm$^{2}$.