Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком

Проведено исследование травления гребневых волноводов торцевых полупроводниковых лазеров на двойной гетероструктуре с раздельным ограничением фокусированным ионным пучком. Показано, что по степени влияния на лазерные параметры существует три диапазона глубин травления: травление на небольшую глубину приводит лишь к модификации характеристик волновода, увеличение глубины травления вызывает уменьшение дифференциальной эффективности без изменения порогового тока, более глубокое травление вносит дефекты в активную область и вызывает одновременное ухудшение порогового тока и дифференциальной эффективности при существенной модификации оптических характеристик лазера.