Формирование текстуры (100) в тонких пленках Ti под действием низкоэнергетической ионной бомбардировки

Пленки Ti толщиной 10–40 nm, имеющие исходно смешанную текстуру (100)+(001), подвергались ионной бомбардировке в плазме Ar высокочастотного индукционного разряда при приложении к ним отрицательного напряжения смещения -30 V. Найдено, что такая обработка способствует формированию в пленках текстуры (100). Данный результат объяснен возникновением в пленке сжимающих напряжений в результате ионной бомбардировки. Чем меньше толщина пленки, тем меньшее время обработки требуется для образования текстуры (100).