Локализация носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках InAs

Рассмотрена проблема локализации электронов и дырок на примере пирамидальных квантовых точек InAs в арсениде галлия. Задача квантовой механики решена для локализующего потенциала с учетом геометрии, химического состава и встроенных полей механических напряжений и деформаций. Установлено, что наилучшая локализация носителей обоих типов достигается при отношении высоты пирамиды к ее основанию около 0.2.