В. О. Гридчин, Р. Р. Резник, К. П. Котляр, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Серов, С. А. Кукушкин, Г. Э. Цырлин, “Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ”, Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 21,страницы 32

Эта публикация цитируется в 1 статье

Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

В. О. Гридчин^ab, Р. Р. Резник^b, К. П. Котляр^ab, А. С. Драгунова^ac, Н. В. Крыжановская^ac, А. Ю. Серов^b, С. А. Кукушкин^d, Г. Э. Цырлин^abe

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный университет
^c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Санкт-Петербург, Россия
^d Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Впервые показана возможность выращивания нитевидных нанокристаллов InGaN с высоким содержанием In на подложках SiC/Si(111) и проведен анализ в сравнении с аналогичными структурами на подложке Si(111). Показано, что выращивание на подложке SiC/Si приводит к формированию нитевидных нанокристаллов InGaN с содержанием In на $\sim$10% меньше и большей эффективностью фотолюминесценции (в $\sim$5 раз), чем на Si.

Ключевые слова: InGaN, нитевидные нанокристаллы, молекулярно-пучковая эпитаксия, оптические свойства, спинодальный распад, карбид кремния на кремнии.

Поступила в редакцию: 01.06.2021
Исправленный вариант: 12.07.2021
Принята в печать: 19.07.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894