С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями”, Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 20,страницы 16

Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями

С. Ю. Давыдов^a, А. А. Лебедев^a, П. В. Булат^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Севастопольский государственный университет

Аннотация: Методом функций Грина определены электронные структуры сверхрешеток и капсулированных слоев. Предложена простая схема оценки межслойного перехода заряда. В качестве примера рассмотрены слои графена и графеноподобных соединений.

Ключевые слова: 2D-структура, сверхрешетка, капсулированный слой.

Поступила в редакцию: 01.06.2021
Исправленный вариант: 01.06.2021
Принята в печать: 05.07.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.20.51607.18896