Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов

Представлены результаты исследования и разработки метода ионной имплантации азота через пассивирующий слой плазмохимического нитрида кремния для гетероструктуры AlGaN/GaN на подложке кремния в сравнении с традиционным плазмохимическим травлением. Использование такого слоя упрощает изготовление транзисторов и получение изоляции благодаря возможности смещения максимума распределения имплантированных ионов к поверхности полупроводника. За счет использования легированных углеродом буферных слоев и ионной имплантации азота получено увеличение пробивного напряжения транзисторов до 650 V.