Резонансное болометрическое детектирование широкополосных сигналов терагерцевого диапазона частот

Обсуждается детектирование широкополосного излучения терагерцевого диапазона частот болометрическим способом с помощью гетероструктуры, состоящей из последовательности проводящих и диэлектрических слоев легированного и нелегированного полупроводника (арсенида галлия, германия). Такая структура формирует фотонный кристалл с разрешенными и запрещенными зонами (диапазонами поглощения и пропускания). Выбирая толщины проводящих и непроводящих слоев и уровни легирования, можно формировать спектральные интервалы эффективного поглощения, что позволяет детектировать импульсы в диапазоне частот $\ge$ 10$^{12}$ Hz со спектральной шириной порядка несущей частоты.