RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 16, страницы 24–27 (Mi pjtf4706)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости

А. И. Барановab, Д. А. Кудряшовab, А. В. Уваровab, И. А. Морозовab, А. А. Максимоваab, Е. А. Вячеславоваab, А. С. Гудовскихab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

Аннотация: Показана возможность применения спектроскопии полной проводимости для оценки качества структур ITO/МоО$_{x}$/$n$-Si. Продемонстрировано, что при магнетронном напылении слоя ITO при комнатной температуре в приповерхностной области Si вблизи границы МоО$_{x}$/Si формируются радиационные дефекты с глубиной залегания 0.13 и 0.26 eV ниже зоны проводимости с площадью сечения захвата (1–5) $\cdot$ 10$^{-19}$ и (5–10) $\cdot$ 10$^{-19}$ cm$^{2}$ соответственно. Повышение температуры напыления слоя ITO до 130$^\circ$C позволяет снизить концентрацию дефектов ниже порога чувствительности и приводит к значительному улучшению характеристик солнечных элементов.

Ключевые слова: оксид молибдена, кремний, селективный контакт, солнечный элемент, спектроскопия полной проводимости, радиационные дефекты.

Поступила в редакцию: 23.03.2021
Исправленный вариант: 09.05.2021
Принята в печать: 11.05.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.16.51324.18779


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2021, 47:11, 785–788

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024