RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 16, страницы 32–35 (Mi pjtf4708)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Особенности работы мощных AlInGaN-светодиодов при больших импульсных токах

А. Л. Закгеймa, А. Е. Ивановab, А. Е. Черняковa

a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

Аннотация: Исследованы токовые зависимости мощностных и спектральных характеристик, в том числе их распределение (мэппинг) по излучающей поверхности, AlInGaN-светодиодов “вертикальной” конструкции в широком диапазоне рабочих токов вплоть до $\sim$70 А. Установлено, что начиная с определенного уровня возбуждения некорректно использовать представление о средней плотности тока при анализе падения эффективности. Главным фактором снижения внутреннего квантового выхода и коэффициента вывода излучения, ограничивающим энергетические возможности светодиода, становится эффект шнурования (“current crowding”) тока к контактам.

Ключевые слова: AlInGaN-светодиод, квантовый выход, спектр излучения, ближнее поле излучения.

Поступила в редакцию: 31.03.2021
Исправленный вариант: 30.04.2021
Принята в печать: 11.05.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.16.51326.18795


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2021, 47:11, 834–837

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024