Аннотация:
Исследованы токовые зависимости мощностных и спектральных характеристик, в том числе их распределение (мэппинг) по излучающей поверхности, AlInGaN-светодиодов “вертикальной” конструкции в широком диапазоне рабочих токов вплоть до $\sim$70 А. Установлено, что начиная с определенного уровня возбуждения некорректно использовать представление о средней плотности тока при анализе падения эффективности. Главным фактором снижения внутреннего квантового выхода и коэффициента вывода излучения, ограничивающим энергетические возможности светодиода, становится эффект шнурования (“current crowding”) тока к контактам.
Ключевые слова:AlInGaN-светодиод, квантовый выход, спектр излучения, ближнее поле излучения.
Поступила в редакцию: 31.03.2021 Исправленный вариант: 30.04.2021 Принята в печать: 11.05.2021