Н. А. Черкашин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. М. Устинов, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 15,страницы 15

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

Н. А. Черкашин^a, А. В. Сахаров^b, А. Е. Николаев^bc, В. В. Лундин^c, С. О. Усов^b, В. М. Устинов^b, А. С. Гращенко^d, С. А. Кукушкин^d, А. В. Осипов^e, А. Ф. Цацульников^b

^a CEMES–CNRS and Université de Toulouse, Toulouse, France
^b НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^e Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Светоизлучающие III – N гетероструктуры выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на темплейтах (подложках) SiC/Si (111), сформированных методом согласованного замещения атомов. Проведены исследования оптических и структурных свойств гетероструктур с целью выявления формирования дефектов в структурах. Показано, что в таких гетероструктурах наблюдаются особенности роста буферного слоя (Al,Ga)N, связанные с наличием пор в Si под интерфейсом SiC/Si. Использование оптимизированного дизайна буферного слоя позволяет значительно уменьшить плотность дислокаций и сформировать активную область с хорошим структурным качеством.

Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, кремний, III – N гетероструктура, газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 29.04.2021
Принята в печать: 29.04.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827