В. А. Воронцов, Д. А. Антонов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, В. Е. Koтомина, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, “Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 15,страницы 23

Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии

В. А. Воронцов, Д. А. Антонов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, В. Е. Koтомина, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Экспериментально продемонстрирован эффект резистивного переключения в отдельных дислокациях в мемристорных структурах Ag/Ge/Si(001) методом атомно-силовой микроскопии с проводящим зондом. На вольт-амперных характеристиках дислокаций обнаружен гистерезис, типичный для биполярного резистивного переключения, связанного с формированием и разрушением Ag-филамента в слое Ge в результате дрейфа ионов Ag$^{+}$ вдоль ядра дислокации.

Ключевые слова: резистивное переключение, мемристор, гетероструктуры Ge/Si, дислокации, ионное травление, атомно-силовая микроскопия.

Поступила в редакцию: 24.03.2021
Исправленный вариант: 27.04.2021
Принята в печать: 30.04.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.15.51229.18784