Особенности роста гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния: управляемая пластическая деформация

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены нитрид-галлиевые гетероструктуры на подложках кремния. Обнаружены пластические деформации подложки при температурах 930 – 975$^\circ$C, возникающие в процессе роста при эффективном накоплении сжимающих напряжений в пленке. Предложен способ осуществления управляемой пластической деформации кремния за счет проведения высокотемпературного отжига, совмещенного с ростом in situ слоя SiN$_{x}$, после роста гетероструктуры. Данный подход позволит упростить подбор архитектуры нитрид-галлиевых гетероструктур для различных технологических задач.