Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения

Впервые показана возможность создания нижнего перехода многопереходных A$_{3}$B$_{5}$/Si солнечных элементов на основе гетероструктуры $n$-GaP/$p$-Si, выращенной с помощью комбинации технологий атомно-слоевого плазмохимического осаждения и металлоорганической газофазной эпитаксии при температуре $T_{s}$, не превышающей 650$^\circ$С. Фотоэлектрические свойства структур, выращенных при $T_{s}\le$ 650$^\circ$С, зависят от условий процесса, в частности от использования дополнительной обработки в плазме Ar.