RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 13, страницы 8–11 (Mi pjtf4741)

Максимальные параметры резистивного состояния и влияние уровня напряжения на деградацию сверхпроводящих свойств в стабилизированных высокотемпературных сверхпроводящих проводах второго поколения

В. А. Мальгинов

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Установлено, что в стабилизированных высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) материалах переход между сверхпроводящим и резистивным состоянием носит электромагнитный характер, а резистивное состояние имеет универсальные характеристики по напряжению и сопротивлению на единицу длины: 0.040 V/cm и 50 $\mu\Omega$/cm соответственно. Обнаружено, что после перехода из резистивного в нормальное состояние при уровне напряжения в нормальном состоянии более 0.7 V происходит необратимое разрушение сверхпроводящих свойств ВТСП-материала. Полученные характеристики позволяют определить безопасный уровень работы, а также оценить сопротивление и уровень напряжения в ВТСП-элементах электрооборудования, использующего стабильный резистивный режим.

Ключевые слова: высокотемпературный сверхпроводник, медный стабилизатор, резистивное состояние, разрушение сверхпроводящего слоя, ВТСП-устройство.

Поступила в редакцию: 20.02.2021
Исправленный вариант: 22.03.2021
Принята в печать: 26.03.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.13.51113.18744


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2021, 47:9, 668–671

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024