RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив
Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 13, страницы 28–31 (Mi pjtf4746)
Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера

А. Е. Жуковa, Э. И. Моисеевa, А. М. Надточийa, А. С. Драгуноваa, Н. В. Крыжановскаяa, М. М. Кулагинаb, С. А. Минтаировb, Н. А. Калюжныйb, Ф. И. Зубовc, М. В. Максимовc

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано потребление энергии микродисковым лазером с квантовыми ямами-точками InGaAs/GaAs при высокочастотной модуляции без принудительного охлаждения. Для микролазера диаметром 20 $\mu$m оценено наименьшее энергопотребление 1.6 pJ в расчете на один бит данных, переданных с помощью оптического сигнала.

Ключевые слова: высокочастотная модуляция, микролазер, квантовые точки, энергопотребление.

Поступила в редакцию: 12.01.2021
Исправленный вариант: 02.04.2021
Принята в печать: 02.04.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.13.51118.18707


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2021, 47:9, 685–688

Реферативные базы данных:

© МИАН, 2024