Вертикальное упорядочение аморфных нанокластеров Ge в многослойных гетероструктурах $a$-Ge/$a$-Si:H

Исследована многослойная гетеронаноструктура, состоящая из трех пар слоев аморфного кремния и аморфного германия ($a$-Ge/$a$-Si:H), выращенная на подложке кремния методом низкочастотного плазмохимического осаждения при температуре 225$^\circ$C. На основе анализа спектров комбинационного рассеяния света определен фазовый состав слоев кремния и германия, который показал, что слои полностью аморфны. На изображениях, полученных с помощью просвечивающей электронной микроскопии, наблюдаются упорядоченные в вертикальном направлении аморфные нанокластеры Ge, формирование которых инициировано локальными неоднородностями нанометрового масштаба в первом слое германия, латеральные размеры которых растут от нижнего слоя к верхнему.