Направление диффузионного потока галлия при осаждении на поверхность с регулярными массивами отверстий

Автокаталитический рост нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP часто осуществляется на поверхностях SiO$_{x}$/Si(111) с массивами литографически подготовленных отверстий. Капли Ga создаются в процессе предварительного осаждения в отсутствие потока As. Ранее считалось, что диффузионный поток Ga направлен с поверхности маски в отверстия. Нами показано, что направление диффузионного потока может быть различным в зависимости от параметров роста. Модель применима для описания времен инкубации капель и позволяет объяснить длительную задержку нуклеации капель и нитевидных нанокристаллов.