Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m

Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе $nBn$-систем из Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав $x$ в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барьерном слое – 0.60. Предложена эквивалентная схема МДП-структуры на основе $nBn$-системы и найдены номиналы элементов этой схемы в различных условиях. Сравнение температурной зависимости сопротивления барьера с моделью Rule07 свидетельствует о возможности создания эффективных $nBn$-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для спектрального диапазона 3–5 $\mu$m.