Барьер Шоттки на контакте магнитного 3$d$-металла с полупроводником

С помощью модели Фриделя для $d$-зоны переходного металла и модели локального дефекта для полупроводника получены аналитические выражения для перехода заряда (электронов или дырок) между металлом и полупроводником и высоты барьера Шоттки. Показано, что учет намагниченности металла ведет к увеличению перехода заряда и связанного с этим вклада в высоту барьера Шоттки. Численные оценки представлены для контактов Со и Ni с 6$H$- и 4$H$-политипами SiC.