Диэлектрические и пироэлектрические свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке карбида кремния на кремнии

Исследованы микроструктура, диэлектрические и пироэлектрические свойства композитных эпитаксиальных слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на подложках SiC/(111)Si методом хлорид-гидридной эпитаксии. Обнаружено явление самопроизвольного (в процессе роста слоев) образования системы гетеропереходов. На основе эпитаксиальных слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N получен материал, обладающий на данный момент одним из самых больших значений пирокоэффициентов для кристаллов (или тонких пленок) нитрида алюминия.