RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 7, страницы 10–12 (Mi pjtf4809)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических преобразователей, облученных низкоэнергетическими протонами

Н. М. Богатовa, Л. Р. Григорьянa, А. И. Коваленкоa, М. С. Коваленкоa, Л. С. Лунинb

a Кубанский государственный университет, г. Краснодар
b Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация: Исследовано влияние облучения низкоэнергетическими протонами на импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических структур. Для измерения использовались биполярные прямоугольные импульсы напряжения с постоянной амплитудой 10 mV и частотой 200 kHz и 1 MHz. Показано, что облучение протонами с энергией 180 keV и дозой 10$^{15}$ cm$^{-2}$ создает в области пространственного заряда $n^{+}$$p$-перехода область с высокой концентрацией радиационных дефектов. Такие элементы могут использоваться для создания быстродействующих фотодиодов с рабочей частотой модуляции 18 MHz.

Ключевые слова: фотодиод, кремний, время жизни, протон.

Поступила в редакцию: 23.10.2020
Исправленный вариант: 17.12.2020
Принята в печать: 17.12.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2021.07.50791.18596


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2021, 47:4, 326–328

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024