Применение метода матрицы рассеяния для расчета примесных состояний в полупроводниковых структурах

Метод матрицы рассеяния адаптирован для расчета уровней энергии и волновых функций носителей заряда вблизи примесно-дефектных центров. Возможность применения данного метода для многозонных моделей продемонстрирована на примере гамильтониана Латтинжера с кулоновским акцептором в приближении сферической симметрии. Полученные значения энергии дискретных уровней хорошо согласуются с результатами расчетов, выполненных другими методами.