Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки

В области сверхвысоких уровней импульсной токовой накачки исследованы характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричной гетероструктуры с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции. Продемонстрирована пиковая мощность 5.1 W при амплитуде тока накачки 10 A. Определены три типа пространственной динамики лазерного излучения: для начального уровня токов накачки характерно медленное ($\sim$200 ns) перестроение интенсивности вдоль выходной апертуры, для умеренных уровней токов накачки характерно наличие быстрых ($\sim$10 ns) процессов модовых перестроений, в области максимальных токов накачки перестроения не повторяются от импульса к импульсу и имеют хаотический характер.