Влияние окисления пористого кремния на формирование нанокомпозитов пористый кремний/индий электрохимическим методом

Установлено, что окисление скелета пористого кремния в воздушной атмосфере при 300$^\circ$C или в водном растворе HNO$_{3}$ (50 vol.%) позволяет улучшить заполнение пор индием при его осаждении электрохимическим методом. Благодаря частичному окислению скелета пористого кремния максимум концентрации индия в нем смещается от поверхности в глубину пористого слоя. Наибольший эффект проявляется при окислении пористого кремния в растворе HNO$_{3}$, в этом случае обнаружена максимальная концентрация индия в каналах пор.