Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния

Впервые получен поликристаллический кремний (poly-Si) в результате воздействия электронного пучка на пленки аморфного гидрогенизированного субоксида кремния со стехиометрическим коэффициентом 0.5 ($\alpha$-SiO$_{0.5}$:H) и толщиной 580 nm. Ускоряющее напряжение электронного пучка составляло 2000 V, а ток пучка – 100 mA. Получены спектры комбинационного рассеяния света пленок кремния после отжига в зависимости от времени воздействия электронного пучка на исходный материал. Показано, что в результате отжига формируется поликристаллический кремний, напряжения в котором в зависимости от времени воздействия изменяются от сжатия до растяжения.