RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 6, страницы 29–31 (Mi pjtf4828)

Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs

С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы фотопреобразователи лазерного излучения для диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs. Показано, что уменьшение степени упорядочения в слоях GaInP за счет введения атомов сурьмы приводит к коротковолновому сдвигу края поглощения с одновременным увеличением напряжения холостого хода, а увеличение общей толщины фотоактивных слоев фотопреобразователей лазерного излучения выражается в повышении спектральной чувствительности. Проведенная оптимизация позволяет повысить коэффициент полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения с 39.4 до 44.4%.

Ключевые слова: фотопреобразователь лазерного излучения, КПД, спектральная чувствительность, напряжение холостого хода, газофазная эпитаксия.

Поступила в редакцию: 16.11.2020
Исправленный вариант: 08.12.2020
Принята в печать: 08.12.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2021.06.50755.18619


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2021, 47:4, 290–292

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024