Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства

Проведен теоретический анализ переходных ионизационных процессов, протекающих в низкобарьерном GaAs-диоде Мотта при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и имитирующих их импульсов лазерного излучения. Реакция диода на воздействие иона As$^{+}$ с энергией 200 MeV, соответствующей линейной передаче энергии 26 МeV$\cdot$cm$^{2}$/mg, сопоставляется с реакцией на действие импульсов оптического излучения различной длительности (10–1000 fs) с энергией квантов, превышающей ширину запрещенной зоны GaAs.