Роль кулоновского взаимодействия в дефектной модели барьера Шоттки

Предложена модель барьера Шоттки, в которой на интерфейсе присутствуют димеры, состоящие из полупроводниковых дефектов и ближайших к ним атомов металла. Между электронами дефектов и металлических атомов включено короткодействующее кулоновское отталкивание. Получены аналитические выражения для чисел заполнения атомов и дефектов и высоты барьера Шоттки.