RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 5, страницы 38–41 (Mi pjtf4844)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия

С. В. Оболенскийa, Е. В. Волковаa, А. Б. Логиновb, Б. А. Логиновc, Е. А. Тарасоваa, А. С. Пузановa, С. А. Королевd

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Приводятся результаты экспериментальных исследований электрофизических параметров и морфологии поверхности GaAs-структур кольцевых и круговых диодов Шоттки до и после облучения нейтронами с энергией $\sim$1 MeV. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены объемные радиационные дефекты. По результатам вольт-фарадных измерений определена концентрация электронов и оценена их подвижность до и после облучения. На основе результатов, полученных с применением совокупности данных методов, предложена методика определения средних размеров областей пространственного заряда кластеров радиационных дефектов.

Ключевые слова: кластеры радиационных дефектов, вольт-фарадный метод, атомно-силовая микроскопия.

Поступила в редакцию: 02.11.2020
Исправленный вариант: 25.11.2020
Принята в печать: 26.11.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2021.05.50676.18608


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2021, 47:3, 248–251

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024