М. А. Суханов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлёв, “AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 3,страницы 37

AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов

М. А. Суханов^a, А. К. Бакаров^ab, К. С. Журавлёв^ab

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Описаны особенности процесса выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии AlSb/InAs-гетероструктур с высокоподвижным двумерным электронным газом для СВЧ-транзисторов со сверхмалым энергопотреблением. Изложены основные этапы изготовления транзисторов на основе AlSb/InAs-гетероструктур. Представлены и обсуждены стоковые и сток-затворные характеристики транзисторов.

Ключевые слова: AlSb/InAs-гетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, HEMT-транзистор.

Поступила в редакцию: 16.10.2020
Исправленный вариант: 25.10.2020
Принята в печать: 25.10.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2021.03.50574.18588