А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 2,страницы 49

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения

А. С. Гудовских^ab, Д. А. Кудряшов^a, А. И. Баранов^a, А. В. Уваров^a, И. А. Морозов^a

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

Аннотация: Впервые показана возможность формирования слоев фосфида бора методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при температуре 250$^\circ$C, а также экспериментально продемонстрирована возможность их использования в качестве дырочного селективного контакта к кремнию для создания солнечных элементов.

Ключевые слова: фосфид бора, кремний, селективный контакт, солнечный элемент.

Поступила в редакцию: 23.09.2020
Исправленный вариант: 13.10.2020
Принята в печать: 13.10.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2021.02.50547.18556