Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN

Проведено исследование выращивания слоев GaN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых подложках при различных давлениях в реакторе, в том числе выше атмосферного. Показано, что эпитаксиальный рост при более высоком давлении не изменяет кристаллическое совершенство слоев, подвижность электронов и фоновое вхождение примесей, но приводит к формированию поверхности с меньшим латеральным масштабом неоднородностей. Давление при эпитаксии также влияет на соотношение интенсивностей краевых и примесных линий в спектре фотолюминесценции и токи утечки в обратносмещенном барьере Шоттки.