Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния

Показана возможность оценки степени повреждения приповерхностного слоя кремния $p$-типа с помощью селективного контакта на основе MoO$_{x}$/$p$-Si. Продемонстрирована сильная чувствительность вольт-амперных характеристик к состояниям на поверхности кремния, образованным в процессе нанесения оксида кремния методом магнетронного распыления.