Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к $p$-InP, легированным Zn

Представлены результаты использования подконтактных слоев с шириной запрещенной зоны $E_{g}$ от 0.35 до 0.8 eV для получения низкоомных электрических контактов к $p$-InP. Получена экспериментальная зависимость контактного сопротивления от $E_{g}$ подконтактного материала In$_{x}$Ga$_{1-x}$As.