Влияние подслоя Ba$_{0.2}$Sr$_{0.8}$TiО$_{3}$ на структуру и электрофизические характеристики пленок цирконата-титаната свинца на подложке Si(001)

Методом высокочастотного катодного распыления получены гетероструктуры металл-сегнетоэлектрик-полупроводник Pb(ZrTi)O$_{3}$/Ba$_{0.2}$Sr$_{0.8}$TiО$_{3}$/Si(001). Установлено, что пленки Pb(ZrTi)O$_{3}$ являются однофазными, текстурированными, при этом степень преобладания одной кристаллографической ориентации над другой (110 или 001) определяется толщиной подслоя Ba$_{0.2}$Sr$_{0.8}$TiО$_{3}$. Показано, что за счет вариации толщины подслоя и/или амплитуды одного периода внешнего двухполярного полевого воздействия возможно создание различных электрофизических состояний структуры, что может служить основой для создания ячейки памяти, в частности многоуровневой.