Выглаживание поверхности антимонида галлия

Впервые представлены результаты исследования условий получения атомарно-гладкой поверхности подложек GaSb. Экспериментально показано, что можно улучшить качество поверхности образцов, изменяя условия отжига. Наименьшая шероховатость 1.3 nm получена при времени отжига 16 min при температуре 650$^\circ$C в потоке триметилсурьмы и H$_{2}$.