Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции

Представлены результаты исследования гетероструктур на основе короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InGaAlAs, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP и предназначенных для использования в качестве активных областей для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.3 $\mu$m. Проведены исследования изготовленных гетероструктур методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции. Показано, что изменение отношения толщины квантовой ямы и барьерного слоя сверхрешетки позволяет управляемо смещать положение пика фотолюминесценции для достижения лазерной генерации на длине волны 1.3 $\mu$m, при этом эффективность фотолюминесценции практически не меняется.