С. С. Рочас, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Е. С. Колодезный, А. В. Бабичев, В. В. Андрюшкин, В. Н. Неведомский, Д. В. Денисов, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, В. Е. Бугров, “Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 22,страницы 27

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции

С. С. Рочас^a, И. И. Новиков^a, А. Г. Гладышев^a, Е. С. Колодезный^a, А. В. Бабичев^a, В. В. Андрюшкин^a, В. Н. Неведомский^b, Д. В. Денисов^c, Л. Я. Карачинский^a, А. Ю. Егоров^d, В. Е. Бугров^a

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
^d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования гетероструктур на основе короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InGaAlAs, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP и предназначенных для использования в качестве активных областей для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.3 $\mu$m. Проведены исследования изготовленных гетероструктур методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции. Показано, что изменение отношения толщины квантовой ямы и барьерного слоя сверхрешетки позволяет управляемо смещать положение пика фотолюминесценции для достижения лазерной генерации на длине волны 1.3 $\mu$m, при этом эффективность фотолюминесценции практически не меняется.

Ключевые слова: вертикально-излучающий лазер, активная область, сверхрешетка, квантовая яма, молекулярно-пучковая эпитаксия.

Поступила в редакцию: 11.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 04.08.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50304.18421