Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si

Разработан новый метод эпитаксиального роста пленок сульфида кадмия (CdS) в метастабильной кубической фазе на подложках кремния с буферным слоем эпитаксиального карбида кремния путем атомно-слоевого осаждения. Данная фаза CdS достигается за счет низкой температуры роста ($\sim$180$^\circ$C). Идентификация кубической фазы выполнена как с помощью дифракции рентгеновских лучей, так и методом спектральной эллипсометрии за счет того, что основной пик поглощения света CdS в гексагональной фазе расщеплен на два пика: 4.9 и 5.4 eV, а в кубической фазе является нерасщепленным (вырожденным): 5.1 eV.