Влияние условий формирования геттера в высокоомном кремнии на характеристики PIN-фотодиодов

Изучено влияние условий геттерирования в высокоомном кремнии при изготовлении PIN-фотодиодов на обратные темновые токи. Показано, что геттерирование путем использования комбинации ионного легирования фосфором и нанесения поликремниевой пленки с последующим легированием фосфором при температурах менее 900$^\circ$С обратной стороны подложки приводит к пониженным значениям обратного темнового тока и увеличению времени жизни неравновесных носителей.